【产通社，11月21日讯】RFaxis消息，其将于下月正式投产RFX5000和RFX5000B 5GHz WLAN射频(RF)前端解决方案 ，以配合多家客户的产能扩张进度。RFX5000和RFX5000B是RFaxis推出的第二代纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路(RFeIC)，该产品专门为快速增长的5GHz WLAN市场而优化，同时支持新兴的802.11ac标准。

RFaxis董事长兼首席执行官Mike Neshat表示：“自从我们在今年6月的台北国际电脑展(Computex)上发布纯CMOS 5GHz射频集成电路以来，客户反响相当热烈。现在，我们非常高兴以业界前所未有的震撼价格为客户带来这些最前沿的5GHz射频前端产品。随着Wi-Fi产品从当今占据主流的单频段2.4GHz过渡到双频段2.4/5GHz解决方案，5GHz射频前端的物料清单成本成为一个不容忽视的瓶颈。加之目前越来越多的Wi-Fi产品被部署为要求使用多个射频前端的MIMO系统，以上问题变得尤为严重。RFX5000和RFX5000B的推出无疑是在一个最佳时间为这一问题提供了最佳的解决方案。通过采用这些独一无二的纯CMOS RFeIC产品，我们的客户可以大幅度降低总物料清单成本，同时为最终用户带来不折不扣的顶级射频性能。我们目前还在积极准备发布下一代的5GHz RFeIC产品，这些产品体积更加小巧，而且还将支持直接锂电池操作。新产品推出后，我们在双频智能手机市场的占有率将直线上升。”

产品特点

RFX5000和RFX5000B集成了5GHz WLAN射频前端产品的所有重要功能，包括线性功率放大器、低噪声放大器(LNA)、天线开关、输入/输出/级间阻抗匹配、射频去耦、高线性/低电流模式控制以及一个基于定向耦合器的功率检测器，这些功能全部整合在一个单芯片CMOS硅片中，封装于一个紧凑型的3×3×0.5毫米塑料QFN中。这些产品提供高达+18dBm的输出功率，在5GHz频段，64QAM/OFDM的误差矢量幅度(EVM)为3%。

该输出功率包括天线开关和阻抗匹配网络的所有损耗。在低电流模式下，这些CMOS RFeIC在天线端口上可实现+17dBm的线性输出功率（在3.3V电源下消耗电流仅为170mA），同时能为802.11n HT40/MCS7保持出色的EVM (3%)。

与此同时，这些产品还具备极低的本底EVM(<1.5%)，可满足MCS9/256QAM和80MHz信道带宽下802.11ac的严格EVM要求。连同高增益(32dB)、一流的热稳定性和配备简单CMOS逻辑的多模式控制，RFX5000和RFX5000B的性能超出了当今市面上所有的同类5GHz前端解决方案，包括采用GaAs HBT/pHEMT和SiGe BiCMOS技术的解决方案。

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