【产通社，11月13日讯】IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.；NASDAQ: IDTI)消息，其MB3518低功率DDR3内存缓冲芯片，可在高达1866MT/s的传输速率下运行。通过提升DDR3减少负载双列直插内存模块(LRDIMM)的最高数据传输速率，MB3518使系统制造商获益于更高速度的内存容量，可用于服务器、工作站和存储应用的先进内存子系统的关键组件。

IDT公司副总裁兼企业计算部总经理Mario Montana表示：“作为内存接口解决方案的领导厂商，IDT正在提高LRDIMM的性能极限。通过专注于低功率和高性能，在提升速度的同时坚持开发高效节能的解决方案以降低数据中心的运行成本并减少碳排放，IDT的客户们可以从中获益。从系统来看，IDT丰富的接口和互联产品组合为广大客户提供了有吸引力的价值选择，帮助他们构建市场上最先进的企业服务器和存储设备。”

美光(NASDAQ: MU) DRAM市场部副总裁Robert Feurle表示：“美光致力于提供能够在提升性能的同时降低功率的LRDIMM解决方案，来满足我们的客户在高性能计算(HPC)、数据中心和云计算方面的需求。我们很高兴与IDT紧密合作，开发下一代LRDIMM产品。”

产品特点

MB3518是一个低功率DDR3内存缓冲芯片，能在1个通道内与2个LRDIMM以高达1866MT/s的传输速率运行。假设一个32GB容量的4通道(quad-rank) LRDIMM，相当于在一个典型服务器中传输速率为1866MT/s的512GB容量，那么使用8通道64GB的LRDIMM容量能翻番达到超过1TB，预计将在2013年推出。这意味着相比于标准注册的双列直插内存模块(RDIMMs)，在最高速度等级的相对容量内实现了四倍的提升，使计算系统能够支持更多内存并提升应用性能。

内存缓冲芯片可在1.5V或1.35V下运行，在不牺牲性能的前提下提供业界最低的功耗。这直接使得终端用户在功率和冷却方面节约可观的运营费用。

IDT的内存缓存芯片拥有独有的调试和验证特性，包括每个引脚和晶片示波器的支持和内置逻辑分析仪的采集以促进全缓冲DIMM拓扑技术的开发、验证和测试。这些特性对于LRDIMM模块上的内存缓冲到DRAM接口尤其重要，因为它是完全独立于主控制器和自动测试仪的。IDT内存缓冲芯片符合联合电子工程委员会 (JEDEC) 设立的最严格的规范。

供货与报价

IDT MB3518和MB3516目前已向合格客户提供样品，有盖和无盖产品均采用588引脚FCBGA封装。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.idt.com/go/DDR3。