【产通社，11月2日讯】ARC Energy消息，其最新出版刊物对CHES c轴蓝宝石生长技术的优势进行了详述。采用CHES技术之后，大直径蓝宝石基板的材料利用率达到75%或以上，而使用传统技术沿a轴生长的蓝宝石晶体，材料利用率只有10-20%。CHES大直径衬底片成本较低，并提高了每运行一次金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备的LED芯片产量，且具有降低每流明成本的性能（比如更少、更规则的弯曲）。名为“Sapphire That Scales”的出版物是ARC Energy的CHES Foundations系列中的最新出版物，其详细阐释了CHES技术和熔炉的优势。

ARC Energy的高级副总裁Hap Hewes表示：“本行业必须转而使用大直径衬底片以降低成本，但是较早的蓝宝石技术在朝这一方向转型时却有着明显的制约。这正是我们研发CHES技术的原因所在：为了降低大直径LED蓝宝石衬底片的成本。”

目前，高亮度LED (HB-LED)行业正在寻求大幅节约成本的方法，以降低固态照明的价格，从而在通用照明市场实现大规模应用。在降低成本方面被广泛认同的一个关键点是转而使用大直径衬底片，这与20多年前硅产业做出的转型类似。“Sapphire That Scales”阐释了基板更换为150毫米（6英寸）和200毫米（8英寸）的明显优势。使用150毫米衬底片模拟的MOCVD设备单次运行能够多生产出55%以上的LED芯片。采用200毫米衬底片后，与使用标准的50毫米衬底片相比，能够多生产出77%以上的LED芯片。

尽管大直径基板具有显著的优势，但是在采用较早的蓝宝石生长技术生长这些基板时，材料利用率非常低。此外，由于生长时间标记不一致，较早的蓝宝石生长技术在外延生长期间在MOCVD反应腔中出现较多且不平坦的弯曲（变形）。这不仅降低了LED芯片产量，而且需要昂贵的变通方案。

CHES技术专为克服传统蓝宝石技术在生产大直径衬底片时的缺点而设计。CHES在c轴上生产蓝宝石，利用率高且缺陷水平低。此外，沿c轴生长生产出的衬底片上每一部分都具有相同的受热历史，能够在外延生长期间在MOCVD反应腔中出现较少的弯曲和变形。目前，CHES熔炉可以生产150毫米和200毫米的净成形c轴晶棒。这使CHES熔炉生产的大直径蓝宝石基板成为未来制作高亮度LED的首选。

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