【产通社，11月1日讯】RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）消息，美国国防部高级研究计划署(DARPA)授予其一项价值210万美元的合同，以提高在高功率雷达和其他军事系统中使用的氮化镓(GaN)电路的热效率。

应用特点

授予本合同，是因为DARPA寻求在热管理技术(TMT)项目中的近结点热传输(NJTT)方面取得突破。 DARPA在NJTT方面的动议旨在通过改善近结点区域的热管理，使GaN功率放大器功率处理性能提高3倍甚至更多。RFMD通过将热增强金刚石基板和自身行业领先的碳化硅衬底氮化镓高功率技术相结合，期望能显著提高功率密度和功率处理能力。

RFMD在此计划中的合作伙伴有乔治亚理工学院、斯坦福大学、Group4实验室公司、及波音公司。 乔治亚理工学院以其在热测试、建模和微拉曼温度记录方面的领先地位闻名于世。斯坦福大学是晶体管片芯内临界界面层热测量方面的全球领导者。Group4实验室公司是金刚石基板开发方面的先驱。波音公司计划最终评估技术成果，评定其对未来防御体系的预计影响。

供货与报价

RFMD从2000年起一直是GaN技术方面的领导者，并已通过生产发布两项高功率处理技术，客户可通过其开放式晶园铸造业务模式获取应用该项技术。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rfmd.com。