【产通社，10月10日讯】安森美半导体(ON Semiconductor；美国纳斯达克上市代号：ONNN)消息，其加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。
 
氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性，使其非常适合于要求高开关能效的功率器件及射频(RF)器件。如今，基于氮化镓的功率器件成本过高，不适合大批量制造，因为它们使用非标准生产工艺在小半径的晶圆上制造。

imec的广泛规模研究项目着重于开发200mm晶圆上的硅基氮化镓技术，及降低氮化镓器件成本和提升性能。imec汇聚领先集成器件制造商(IDM)、晶圆代工厂、化合物半导体公司、设备供应商及衬底供应商，已经卓有成效地取得重大技术进步。

2011年，imec的研究项目成功地生产出200mm硅基氮化镓晶圆，该工艺让标准高生产率200mm晶圆厂随手可得。此外，imec开发了兼容于标准CMOS工艺及工具的制造工艺，这是高性价比工艺的第二个先决条件。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.imec.be，以及http://www.onsemi.cn。