【产通社，9月23日讯】科锐公司（Nasdaq: CREE）官网消息，其最新低基面位错（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片（150mm 4H n-type SiC epitaxial wafers）的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm^-2，引起Vf偏移的基面位错容量小于0.1cm^-2。这一新型低基面位错材料的推出进一步体现了科锐长期以来对碳化硅材料技术的不断投入和创新。

科锐功率器件与射频（RF）首席技术官John Palmour表示：“碳化硅双极型（Bipolar）器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用于诸如绝缘栅双极晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等高压双极型器件，并且增加这些器件的稳定性。这一最新成果有助于消除迟滞高功率器件商业化的阻碍。”

产品特点

碳化硅是一种高性能的半导体材料，被广泛地应用在照明、功率器件和通讯器件产品的生产中，包括发光二级管（LED）、功率转换器件以及无线通讯用射频功率晶体管等。

供货与报价

低基面位错外延片现已可开始订购。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.cree.com。