【产通社，7月6日讯】应用材料公司（Applied Materials）官网消息，其Applied Centura Avatar介电层蚀刻系统可解决建立3D内存架构的严峻挑战。3D内存架构可提供高密度兆位储存容量，为未来数据密集型行动装置所必需。

应用材料公司副总裁暨蚀刻事业群总经理琶布．若杰(Prabu Raja)博士表示：“3D内存结构必须在复杂的多层材料堆栈中进行深度的特征结构蚀刻，Avatar系统利用我们在电浆领域的领导技术，解决3D内存结构的制程挑战。客户对于新系统的突破性功能非常感兴趣，我们已售出超过30组系统给多家客户，用于各项重要应用，其中包括未来内存芯片的试产。”

产品特点

Avatar系统为全新设计，可在3D NAND内存数组进行既深且窄的蚀刻，这些3D数组是令人振奋的新型闪存装置，有多达64层垂直建立的记忆单元，可在小面积内建立极高的位密度。Avatar系统可在复合薄膜堆栈层中进行孔洞性蚀刻及沟槽性蚀刻，深宽比可高达80:1，以形状比例来形容的话，美国华盛顿纪念碑的深宽比是10:1高(台北101大楼约9:1)。

此外，该系统是第一款具备能同时蚀刻深度变化落差 极大的特征结构功能的系统，对于制造连接外界与各层记忆单元的“阶梯式”接触结构非常重要。

供货与报价

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.appliedmaterials.com/。