【产通社，6月22日讯】飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor；NYSE：FSL）消息，其25W的MRFE6VS25N和100W的MRFE6VP100H在整个频率覆盖范围内能提供完整的CW额定功率，旨在为采用LDMOS处理技术制造的射频功率产品提供新级别的线性和耐用性。新器件是用于类似应用的GaN解决方案的极好替代产品，能够处理VSWR大于65:1的阻抗不匹配情况，从而以极低的器件成本实现卓越的线性。宽带LDMOS FET的设计目的是为了在极其恶劣的条件下也能无缝运行，这时产品的耐用性和可用性至关重要。目标应用包括HF-UHF发射器和收发器、电视发射器、空白区域数据收发器、航空航天/国防系统、测试设备和雷达系统。

飞思卡尔副总裁兼射频事业部总经理Ritu Favre表示：“凭借这些新产品，飞思卡尔射频功率产品的足迹正从无线基础设施领域踏入邻近的高增长市场。这些新产品的卓越性能和耐用性将对广大客户和广泛应用极具吸引力。”

产品特点

新产品采用飞思卡尔低热阻封装，目的是最大限度降低内部升温，提高长期可靠性，同时减少热管理问题。新产品还集成了能在众多运行环境中增强电路稳定性的内部网络，从而简化了外部电路。为了保证最佳耐用性，飞思卡尔在远超出正常运行条件下来测试，即在超出额定工作电压20%，两倍额定射频输入功率及阻抗不匹配值VSWR=65:1的条件下进行评估。

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H的宽带频率覆盖范围允许设计师使用单个放大器覆盖多个频段，例如1.8-54MHz、30-512MHz，从而减少了材料、缩小了放大器尺寸，减轻了重量，降低了切换损耗，并缩减了日常冷却开支。新产品结合宽带能力、耐用性和频率范围广等优势，且成本低于同等的GaN器件。
 
MRFE6VS25N和MRFE6VP100H规格包括：
 . MRFE6VS25N：25W CW，频段为1.8-30MHz时增益超过26dB，512MHz时增益超过25dB，效率为50%-73%，在VSWR> 65:1的环境中可完全达到额定性能。
 . MRFE6VP100H：100W CW，频段为512MHz时增益超过26dB，30-512MHz时增益超过19dB，效率为40%-71%，在VSWR> 65:1的环境中可完全达到额定性能。

MRFE6VS25N晶体管采用飞思卡尔TO-270-2包覆成型塑料封装，MRFE6VP100H/HS晶体管采用飞思卡尔NI-780-4和NI-780S-4空气腔封装。

供货与报价

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H现已开始生产。参考设计和其它支持工具一并提供。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.freescale.com/RFpower。（刘之琳）