【产通社，6月20日讯】RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号： RFMD）消息，其RFHA1025是一款高效的280瓦脉冲式氮化镓(GaN)射频匹配功率晶体管。RFMD正扩展在多个频带中的基于GaN的功率放大器晶体管产品，从而提高其在雷达市场中的领先地位。

RFMD功率宽频业务部总经理Jeff Shealy说：“RFMD非常高兴扩展了我们基于GaN的产品系列，该系列在支持多样化的终端市场方面提供了业界领先的功率性能。RFMD的GaN产品系列印证了我们旨在实现技术和产品领先地位的承诺，我们期待在近期推出更多具有出色功率密度、高功率效率和高可靠性的GaN器件。”

产品特点

RFMD的GaN匹配功率晶体管可在新的及现有雷达架构中扩展覆盖范围，减小尺寸和重量，以及提高整体耐用性。RFHA1025在宽泛的频率范围(0.96-1.2GHz)内运行，并且可提供280瓦脉冲功率，超过14dB的高增益以及超过55%的高峰值效率。

此外，RFHA1025还结合了内部匹配，以便简化并缩小设计人员需要设计的电路。RFHA1025采用密闭陶瓷法兰封装，其充分利用了RFMD先进的散热和功耗技术，可提供卓越的热稳定性和传导性。RFMD的RF393x非匹配功率晶体管(UPT)可作为RFHA1025的驱动器。

供货与报价

样品及量产批量现已可通过RFMD的网上商店或当地RFMD销售渠道提供。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rfmd.com。（Techwire International）