【产通社，6月17日讯】罗姆集团（ROHM Co., Ltd.）消息，其面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC MOSFET SCH2080KE。新产品成功实现了SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装，内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上，实现更低损耗的同时还可减少部件个数，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。

产品特点

现在，在1200V级别的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电导致的特性劣化(导通电阻和正向电压的上升/耐性劣化)和栅氧化膜故障等可靠性方面的课题较多，之前无法实现真正的全面导入。
 
此次，罗姆通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造，成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的所有课题。而且，与传统产品相比，单位面积的导通电阻降低了约30%，实现了芯片尺寸的小型化。另外，通过独创的安装技术，还成功将传统上需要外置的SiC-SBD一体化封装，使SiC-MOSFET的体二极管长久以来的课题—降低正向电压成为可能。

与一般的逆变器中所使用的Si-IGBT相比，工作时的损耗降低了70%以上，实现了更低损耗的同时，还实现了50kHz以上的更高频率，而且有助于外围部件的小型化。SCH2080KE主要特点包括：

1) SiC-MOSFET与SiC-SBD一体化封装：成功实现SCH2080KE与传统上需要外置的SiC-SBD的一体化封装，降低了正向电压。可减少部件个数，而且有助于进一步节省空间。产品阵容中还包括传统结构的SCT2080KE，可满足客户的多种需求。
 
2) 无开启电压，具备卓越的电流电压特性：通过优化工艺和元件构造，与第1代产品相比，单位面积的导通电阻降低约30%。不存在一般使用的Si-IGBT长久以来所存在的开启电压，因此即使在低负载运转时损耗也很低。
 
3) 正向电压降低70%以上，减少了损耗和部件个数：SiC-MOSFET的体二极管，在SiC物质特性的原理上决定了其开启电压较大，高达2.5V以上，常常成为逆变器工作时的损耗。SCH2080KE集SiC-SBD与SiC-MOSFET于同一封装内，大大降低了正向电压。不仅损耗更低，还可减少部件个数。
 
4) 无尾电流，可进行低损耗开关：由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流，因此关断时的开关损耗可减少90%，有助于设备更加节能。另外，达到了Si-IGBT无法达到的50kHz以上的开关频率，因此，可实现外围设备的小型化、轻量化。
 

供货与报价

SCH2080KE从6月份开始出售样品，从7月份开始陆续量产。另外，此次还同时开发了与SiC-SBD非同一封装的型号SiC-MOSFET SCT2080KE，提供满足不同电路构成和客户需求的产品。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rohm.com.cn。