【产通社，6月5日讯】Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）官网消息，其下一代TrenchFET Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件采用新型高密度设计，PowerPAK SO-8和1212-8封装，在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ，Miller电荷Qgd低至1.8nC。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN适用于高功率密度DC/DC转换器、同步整流、同步降压转换器和OR-ing应用。典型终端产品包括开关电源、电压调节模块(VRM)、POL、通信砖式电源、PC和服务器。

产品特点

TrenchFET IV在硅设计、晶圆加工和器件封装上采用了多项技术改进措施，为当今的功率电子系统设计者提供了诸多好处。与前一代器件相比，SiRA00DP的导通电阻与面积乘积减小了60%，在10V电压下实现了1.0mΩ的极低RDS(on)，4.5V下1.35mΩ的导通电阻达到业内最佳水准。对于设计者而言，MOSFET的低导通电阻可以实现更低的传导损耗，减少功率损耗，达到更高的效率。

TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一种新型结构，这种结构实现了非常高密度的设计，而没有明显增加栅极电荷，克服了经常在高晶格数量器件上出现的这个问题。新的MOSFET的总栅极电荷较低，使得SiRA04DP在4.5V下导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)降至56nC-Ω。

SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系统效率，降低温度，采用6.15×5.15mm PowerPAK SO-8封装，SiSA04DN的效率与之相近，3.30×3.30mm PowerPAK 1212-8封装的面积只有前三款器件的1/3。新发布的所有器件的Qgd/Qgs比值仅有0.5或更低。更低的比值可以降低栅极感应电压，有助于防止击穿的发生。

TrenchFET Gen IV系列经过了100%的Rg和UIS测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令。

供货与报价

TrenchFET Gen IV MOSFET现可提供样品，已经从2012年1季度实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.vishay.com/mosfets/sales。