【产通社，5月3日讯】RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）消息，其扩展了R氮化镓工艺技术，以包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新技术。

RFMD总裁兼首席执行官Bob Bruggeworth表示：“全球对通过提高能源转换效率来节省能源的需求为基于 RFMD氮化镓功率工艺技术的高性能功率器件创造了巨大的机会。我们期望我们推出的最新氮化镓功率工艺技术将会扩大我们在高电压功率半导体市场中的机会，而且，我们很高兴能够为外部的代工客户提供rGaN-HV技术，支持他们在高性能功率器件市场上获得成功。”

RFMD推出的最新氮化镓工艺技术 – rGaN-HV -- 可在功率转换应用（1至50KW）中大幅度降低系统成本和能量消耗。RFMD推出的rGaN-HV技术可为器件实现高达900V的击穿电压，具有高峰值电流功能并可在氮化镓电源开关和二极管之间进行超快速切换。这项新技术可补充RFMD的GaN1工艺技术，而GaN1工艺技术是专为高功率射频应用而优化并提供超过400V的高击穿电压；RFMD的GaN2工艺技术专为高线性度应用而设计并提供超过300V的高击穿电压。

RFMD将会在北卡罗来纳州、格林斯伯勒的晶圆厂(fab)为客户制造这些分立式功率部件，并为代工客户提供rGaN-HV技术以使其能定制功率器件解决方案。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rfmd.com/products/powerconversion。（Techwire International）