【产通社，4月6日讯】英飞凌科技股份公司（FSE: IFX/OTCQX: IFNNY）消息，其与飞兆半导体公司（NYSE: FCS）近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF（带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装）——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装（MO-299）——的许可协议。
　　
这种封装适用于大电流汽车应用，包括混合动力汽车的电池管理、电动助力转向系统（EPS）、主动式发电机和其他重载电气系统。TO-Leadless封装是首个实现300安培电流能力的封装。这种封装相对于现有的D2PAK，PCB板面积和高度分别降低20%和50%，从而大幅节省空间。

　　
开发全新的启停系统、电动助力转向系统、电池管理和主动式发电机，以满足更苛刻的能效和排放要求的汽车电子公司，正在寻求各种创新解决方案，但他们还必须最大程度规避仅从一家供应商采购器件的风险。为确保可靠的器件供应，飞兆半导体与英飞凌签署该许可协议，旨在将领先业界的TO-Leadless MOSFET封装解决方案应用于汽车行业，同时最大程度降低从一家供应商采购器件的风险。

拥有这个协议，汽车行业将受益于从其他可靠供应商订购空间、能效及性能方面具备优势的大电流功率器件。作为汽车功率应用技术的领导者，英飞凌利用其技术专长为汽车系统供应商提供可提高能效和性能的MOSFET，同时还可最大程度降低从一家供应商采购的风险。
　　
飞兆半导体公司计划将TO-Leadless功率器件封装工艺应用于其最新的MOSFET技术。采用TO-Leadless封装的首批MOSFET样品，预计将于2012年下半年开始提供，批量生产有望于2013年中期开始。
　　
查询进一步信息，请访问官方网站http://www.infineon.com，以及http://www.fairchildsemi.com。（杨春叶，博达公关）