【产通社，4月3日讯】罗姆株式会社（ROHM）官网消息，其全SiC功率模块(额定1200V/100A)已经从3月份开始投入量产。

近年来，在工业设备和太阳能电池、电动汽车、铁路等电力电子技术领域，与Si元件相比，电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待。根据估算，将传统的Si半导体全部替换为SiC后的节能效果，仅在日本国内就相当于4座核电站的发电量，因此，各公司都已强化了相关研究开发。在这种背景下，罗姆于2010年在世界上率先成功实现了SiC-SBD和SiC-MOSFET两种SiC元件的量产，在行业中遥遥领先。与此同时，关于全SiC模块，即所内置的功率元件全部将Si替换为SiC，多年来，虽然全世界的制造商多方试制，但在可靠性上存在诸多课题，一直无法实现量产。

产品特点

该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)构成。此产品安装在工业设备和太阳能电池等中负责电力转换的变频器、转换器上，与普通的Si(硅)材质的IGBT模块相比，具备以下优势，有效解决世界能源和资源等地球环境问题。主要特点包括：
. 开关损耗降低85%
. 与传统的400A级别的Si-IGBT模块相替换时，体积减小约50%
. 损耗低，因此发热少，可减小冷却装置体积，从而可实现设备整体的小型化

内置最先进的SiC-SBD和SiC-MOSFET两种元件，与传统的Si-IGBT模块相比，可以将电力转换时的损耗降低85%。另外，与IGBT模块相比，在10倍于其的频率——100kHz以上的高频环境下工作成为可能。该产品的额定电流为100A，通过高速开关和低损耗化，可以与额定电流为200-400A的Si-IGBT模块进行替换。

不仅如此，通过设计和工艺的改善，罗姆还成功开发出散热性卓越的模块。替换传统的400A级别的Si-IGBT模块时，体积可减小约50%。由于损耗低，因此发热少，可减小外置的冷却装置体积，从而非常有助于设备整体的小型化。

供货与报价

本产品计从3月份下旬开始量产、出货。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rohm.com.cn。