【产通社，3月5日讯】RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）消息，已确保了其针对第二代超高效率功率放大器系列的参考设计方案的成功。该新参考设计方案主要针对高度集成的多模式、多频段3G/LTE 解决方案。

RFMD蜂窝产品组(CPG)总裁 Eric Creviston说：“我们非常高兴能够扩展我们与这个顶级芯片供应商的关系，其设计包含了我们的超高效率3G/4G功率放大器。RFMD正为我们的共同客户提供高性能3G/4G交换器及其相关方面系列产品支持，我们期待我们对3G和LTE参考设计的参与程度的增加能为我们带来增量增长机会。”

产品特点

通过延长电池寿命和降低智能手机中数据使用的热影响，RFMD的第二代超高效率3G和4G LTE功率放大器可提供更佳的用户体验。该产品系列目前覆盖了WCDMA频带1、2、3、4、5和8以及LTE频带4、7、11、13、17、18、20和21，因此涉及了最常用的UMTS/HSPA+频带和频带组合。在2012年上半年，我们还将推出其他多模式、多频段(MMMB)和单模式LTE的型号。

RFMD可提供用于单模和整合式架构的广泛3G和4G LTE解决方案，以确保与领先芯片组供应商的一致性及实现全球网络兼容。RFMD的3G和4G LTE产品系列可降低智能手机中数据使用的热影响，同时能在网上冲浪、视频电话和互联网无线电服务等基于数据的应用中实现更长的电池使用时间。

供货与报价

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rfmd.com。（Techwire International）