（2006年9月1日 北京）——IBM、特许半导体、英飞凌科技和三星近日联合推出四方合作采用45纳米低功耗工艺制造的首批芯片，并开始供应设计套件。关键设计元素的早期硅化，加上首批设计套件，能够让设计者率先演进至这个由行业领先的CMOS工艺研发联盟研制的最新工艺。首批设计套件是四大公司联合打造的，现已开始供货。
    这批首次采用45纳米工艺制造的面向下一代通信系统的工作电路，拥有成熟的硅性能，运用了联盟伙伴联合开发的工艺。这批芯片在联合开发团队的驻地——IBM设在纽约州East Fishkill的300毫米晶圆工厂生产。已成功通过验证的功能块，有英飞凌提供的标准库元件、输入/输出元件，还有联盟开发的嵌入式存储器。英飞凌已在首批300毫米晶圆上实现了特殊电路，以测试这个复杂的工艺，并取得产品架构互动方面的初步经验。
    “这一研发成果，是我们在执行尽早采用最先进的技术平台开发优化型产品解决方案这一战略的过程中，取得的又一个重大进展，” 英飞凌科技董事会成员兼通信解决方案业务部总裁Hermann Eul说，“采用45纳米工艺制造的首批芯片，代表了我们最尖端的技术，同时具备高性能和低功耗特性。这一解决方案可很好地满足下一代移动通信的需求。”
    首批设计套件融合了四方的设计专长，能够帮助客户更早转换至新的工艺，同时继续推动单设计、多晶圆厂制造能力，从而最有效地发挥他们的设计优势，并最终为消费者带来实实在在的利益。45纳米低功耗工艺，预期将于2007年底在特许半导体 、IBM和三星的300毫米晶圆厂安装并得到全面鉴定。
    “首批45纳米产品的速度、创新性和完备性，充分展示了四大公司之间的合作力量，能够为客户带来更高的价值。我们的初期硬件测试结果显示，45纳米结点器件的性能，至少比65纳米结点器件高出30%。产品开发人员可以充满信心地利用该设计工艺，”IBM半导体研发部副总裁兼联合开发联盟主管Lisa Su说，“凭借这个由行业领袖组成的联盟在世界各地的优良研发资源和大量的知识资产，我们能够比单兵作战更快、更有效地向客户和市场推出新的制造工艺和设计。客户可获得的另一个好处是灵活性——他们可以对这项工艺进行评估，因为GDSII具有广泛的兼容性。”
    “IBM、特许半导体 、英飞凌和三星之间的独特合作，降低了采用高级工艺的固有风险，”三星电子公司系统LSI业务部高级技术开发团队副总裁Ho-Kyu Kang说，“我们的客户可以充分利用四个行业领袖在开发领先设计套件和工艺方面的系统级产品设计和制造专长优势。”     （完）