【产通社，11月28日讯】Diodes公司消息，其DMP1245UFCL微型12V P通道强化型MOSFET有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。

产品特点

这款新MOSFET采用超精密及高热效率的DFN1616封装，并具有极低的导通电阻(RDS(on))特性，能将传导损耗降至最低水平，从而延长电池寿命。例如在VGS为4.5V的条件下，该MOSFET的导通电阻仅为29mΩ，这比其最接近的竞争对手产品的导通电阻性能还要优越15%，有利于电源中断及一般负载开关的应用。

DFN1616的标准离板剖面为0.5毫米，比其对手的产品薄20%，并只占2.56平方毫米的印刷电路板面积(PCB)，比竞争对手同类型2毫米乘2毫米的较大封装节省55%的空间。

同时，DMP1245UFCL为用户提供防静电放电(ESD)的增强保护。该MOSFET的额定闸极保护为3kV，比同类产品高出50%，因此对人为产生的静电放电所造成的影响有很强的抵御作用。

供货与报价

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.diodes.com。（顾燕君，博达公关）