【产通社，11月14日讯】Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）官网消息，其新款Vishay Siliconix军用级通过JAN认证的n沟道功率MOSFET，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。

产品特点

新器件适用于TTL/CMOS直接逻辑电平接口，继电器、螺线管、灯、电锤、显示器、存储器和晶体管的驱动，以及电池供电系统和以及固态继电器。MOSFET的密封TO-205AD封装可承受军工和航天应用中更高的温度。

2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻低至1.3Ω，栅源阈值电压为1.7V，开关速度为8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻为3.6Ω，栅源阈值电压为1.6V，开关速度为6ns。两款器件均具有低输入和输出泄漏，以及低至35pF的典型输入电容。

2N6660JANTX/JANTXV和2N6661JANTX/JANTXV按照MIL-PRF-19500的各项标准进行了100%的内部视觉(在封盖前)检验。除减少2个步骤(MIL-STD-750标准的视觉检验和加工)以降低成本以外，Vishay还对这些产品进行了Group A、Group B、Group C和Group E检测，以进一步提高产品的可靠性。

供货与报价

通过JAN认证的MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.vishay.com。