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安森美功率MOSFET系列:较低RDS(on)以降低功耗
2006/8/15 15:05:41     安森美半导体

全球领先的电源管理解决方案供应商——安森美半导体(ON Semiconductor)8月15日推出18款优化直流/直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,直流/直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。
    这些新型的30V,35-191A的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。
    安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要,安森美半导体一直在拓展PowerFET产品系列,以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资源,所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”
    其中,8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。

 器件           VDS     ID Rdson@10V   Qg(典型)
NTD4804N 30V 117A 4mΩ     30nC
NTD4805N 30V 88A 5mΩ     20.5nC
NTD4806N 30V 76A 6mΩ     15nC
NTD4808N 30V 63A 8mΩ     11.3nC
NTD4809N 30V 58A 9mΩ     10.7nC
NTD4810N 30V 54A 10mΩ     9nC
NTD4813N 30V 40A 13mΩ     6.9nC
NTD4815N 30V 35A 15mΩ     6nC
    其他10款新型功率MOSFET器件采用SO-8平引脚封装- 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。

  器件          VDS     ID  Rdson@10V   Qg(典型)
NTMFS4833N   30V 191A 2mΩ     39nC
NTMFS4834N   30V 130A 3mΩ     33nC
NTMFS4835N   30V 104A 3.5mΩ       25nC
NTMFS4836N   30V 90A 4mΩ         19.1nC
NTMFS4837N   30V 74A 5mΩ     14.2nC
NTMFS4839N   30V 66A 6mΩ     12nC
NTMFS4841N   30V 57A 7mΩ     11.9nC
NTMFS4741N   30V 67A 8mΩ     15nC   
NTMFS4744N   30V 53A 10mΩ     10nC
NTMFS4747N   30V 44A 13mΩ     12nC

    更多关于安森美提供的所有功率MOSFET器件的信息,请访问http://www.onsemi.com.cn或联系Kathleen Van Tyne(电邮地址: k.vantyne@onsemi.com)。

    (完)
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