【产通社，9月22日讯】格罗方德半导体（Global Foundries）日前在上海召开了2011年全球技术论坛（GTC 2011），这是其成立以来举行的第二届技术论坛，规模更甚以往，除CEO Ajit Manocha以外，研发资深副总裁Gregg Bartlett、设计实行部门资深副总裁Mojy Chian、新加坡总经理Raj Kumar等所有高层皆出席并发表公司合作发展策略与对外宣布公司2012先进制程布局规划。

面对欧美债务信用问题席卷全球，全球总体经济出现放缓趋势，格罗方德半导体虽然在先进制程上维持满载，但是该公司也透露，在主流制程上出现需求疲软的状况。CEO Ajit Manocha在论坛上表示，“观察到这一轮终端市场成长的放缓，但公司的愿景以及对顾客的承诺和资本支出都不会改变，特别是公司观察到主流技术65纳米以上的市场趋缓，先进技术制程却仍供不应求”。

格罗方德在每年1月会公布当年度的资本支出，今年该公司原定的资本支出达54亿美元，较去年度的27亿美元大幅成长一倍之多，也连续两年大幅度超出联电资本支出。由于全球经济疲软以及市场需求不明等因素，当前的半导体代工行业应该说风险不小。不过从上世纪80年代至今，半导体行业已经由150亿美元的规模发展到3140亿美元的规模了，而且预计未来还将继续增长，因为全世界正趋向引入越来越多的互连设备。格罗方德公司市场营销部门副总裁Jim Kupec则提到，今天的市场对于新设备最大的推动力往往来自年轻人，虽然这可能并非全部的事实，但是目前确实越来越多的产品是针对年轻人市场的。

这就是说，格罗方德并不打算完全地放慢其投资脚步，因为该公司正忙于在所有旗下的设施进行投资。就目前的情况而言，格罗方德公司的纽约工厂已经提前两个月进入了“设备准备”阶段，而今年之内该公司应该可以在纽约进行试生产，当然在明年年初之前此工厂全面投产的可能性不大。另外在德国的Fab 1工厂今年早些时候也已经开始量产32纳米的AMD处理器芯片，同时其还在进行28纳米量产测试，预计在不远的将来格罗方德的Fab 1工厂将可以过渡到28纳米制造工艺。在新加坡的Fab 7工厂，目前格罗方德已经完成了升级，并且可以生产40纳米到65纳米的半导体芯片，并且最终该工厂还将进入到300mm晶圆领域。

当然整个行业更关心的是格罗方德的未来技术路线图。到2012年，格罗方德预计将开始量产其28纳米产品，甚至还可以初期量产部分20纳米产品，而20纳米的初期量产应该会在美国的Fab 8工厂。更进一步至明年上半年，格罗方德预计将提升Fab 1，Fab 7以及Fab 8等工厂的产能，因为该公司预计所谓领先尖端技术(65纳米及其以下)领域的需求将会增长，而这也是格罗方德希望获得70%营收比例的一个领域。

格罗方德还解决了其高K金属栅极制造工艺技术领域的一些问题，此前一些外行观察者曾一直死抓这一点不放。目前格罗方德已经生产出了2GHz主频的ARM Cortex-A9测试芯片，该芯片采用了其28纳米SLP技术，并且在28纳米HPP制程下，该处理器甚至可以达到3GHz主频。除此之外，AMD的A系列Fusion处理器也在采用格罗方德的HKMG制造工艺，而且尽管有所延期，但是目前该系列产品已经实现量产，当然由于与AMD之间的一些保密协议，格罗方德并未透露更多详情。至少在未来的12个月时间里，所有AMD未来推出的处理器产品都将基于格罗方德的32纳米HKMG制造工艺，其中包括即将推出的FX系列以及AMD的下一代A系列APU处理器。

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