【产通社，7月28日讯】联华电子消息，其与赛普拉斯半导体(Cypress)采用新的65纳米SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，硅-氧-氮化硅-氧-硅) 闪存技术，成功产出了有效硅芯片(working silicon)。联华电子将采用此新制程为Cypress生产次世代PSoC可编程系统单芯片，以及nvSRAM和其他产品。此外，联华电子也将在Cypress授权协议下，将此技术提供给其他公司使用。

此一崭新的S65制程，系采用65纳米SONOS嵌入式NVM (nonvolatile memory，非挥发性内存)技术，此制程现已顺利与联华电子标准LL65制程整合。凡是采用LL65制程的芯片设计，不论是现有或新的设计，现都可轻易地加入嵌入式闪存，享有快速产品上市时间，低开发成本，且几乎不会对其他硅智财的设计产生干扰等优点。S65制程的主要优势包含了高耐力，低功耗，及抵抗内存因为宇宙射线而发生软错误的错误率（SER，Soft Error Rate）。相较于其他嵌入式闪存技术需要外加7-12层光罩，此技术仅需要在标准CMOS制程之外，额外加上三层光罩即可。S65制程同时可提供客户高良率与低测试成本。就Cypress产品而言，和采用现有0.13纳米S8制程生产相比，此一新制程预期将可减少75%的数组尺寸，并且减少一半的功耗。

“我们非常高兴能与晶圆专工制造业的领导者携手，共同推动了此尖端技术的上市，”Cypress全球制造与营运执行副总Shahin Sharifzadeh表示，“Cypress十分期待于产品群内，加入采用S65?制程所生产的高效能新产品。同时也将与联华电子并肩努力，将此技术授权给联华电子广大的全球客户群使用。”

“身为以客户需求为导向的晶圆专工厂商，联华电子不断致力于为客户推出更精进的制程选择”，联华电子资深副总颜博文表示，“今日嵌入式NVM已成为诸多芯片设计的主要特性。为此，联华电子提供了一个极富价值的技术解决方案，透过成功地整合S65?与LL65制程，藉此满足客户的需求。我们期望将采用此制程技术的Cypress与其他客户产品，尽快带入量产。”联华电子S65TM制程预计于今年度第三季上市。

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