【产通社，7月23日讯】RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq股市代号：RFMD）消息，其代工服务业务部门已扩展处理技术组合，提供两项额外的砷化镓（GaAs）处理技术——RFMD FD25低噪音pHEMT处理技术及RFMD FET1H切换pHEMT处理技术。代工客户可随时获得这两项额外的砷化镓pHEMT处理技术。

RFMD多市场产品组总裁(MPG) Bob Van Buskirk说道：“我们推出的FD25 0.25µm和FET1H 0.6µm处理技术进一步拓展了我们为无线行业提供技术先进的半导体代工服务的目标。我们很高兴能够超出我们当前的氮化镓和砷化镓产品范围来扩展和发展代工服务业务，帮助客户满足他们特定的市场和产品需求。”

产品特点

RFMD 0.25微米FD25 pHEMT处理技术可实现低噪音、中等功率和高线性，尤其适合低噪音前端和发射器MMIC等应用。RFMD 0.6微米FET1H pHEMT处理技术可实现RF信号的低噪音和高线性切换，尤其适合无线前端、发射/接收模块以及相控天线阵等应用。

这两项新处理技术可补充现有的RFMD 0.3微米FD30 pHEMT处理技术，该技术于2010年向代工客户提供，现已优化，可用于X频段相控天线阵功率放大器及8-16千兆赫宽带军事战争电子干扰发射机等应用。

在终端应用要求更高整合度的驱动下，借助领先的半导体技术，无线通信、航空和国防、以及雷达/雷达干扰发射机市场在世界范围内继续保持迅猛增长。这增加了半导体代工对开发和提供灵活、高性能世界级技术的需求。

RFMD低噪音FD25和高线性切换FET1H技术以及现有的RFMD FD30 0.3µm电源处理技术，可为客户提供设计和制造世界级器件的能力，以满足广泛的应用需求。

供货与报价

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