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Vishay的PLTT精密低TCR高温薄膜电阻扩大至250Ω~3MΩ
2011/6/24 8:19:49     

【产通社,6月23日讯】Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)官网消息,其PLTT精密低TCR高温薄膜电阻现可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸,阻值范围扩大至250Ω~3MΩ,并可提供非标阻值。


产品特点
 

PLTT电阻的工作温度范围为-55℃~+215℃,比传统薄膜芯片电阻扩大了近100℃。器件具有低至±5 ppm/℃的标准TCR,容差低至±0.02%,噪声低于-35dB,以及低至0.1ppm/V的电压系数。PLTT的功率等级为250mW~1000mW,可在100V~200V电压范围内工作。

电阻采用稳定的薄膜,在+215℃下经过2000小时后的性能特性为500ppm,针对低噪声,及在高温环境中需要补偿低偏移和温度漂移的单信号处理进行了优化,包括钻井应用、高精度石油和天然气勘探,以及电信和工业设备。

PLTT采用高纯度陶瓷衬底,在镍栅上有一个10μin~20μin的金质端接,以实现高温HMP焊接,并采用耐腐蚀特殊钝化方法(SPM)强化。电阻符合RoHS指令2002/95/EC及IEC 61249-2-21的无卤素规定,耐火等级达到UL94 V0。


供货与报价


增强型PLTT电阻现可提供样品,并已实现量产,标准订货的供货周期为十周到十二周。查询进一步信息,请访问http://www.vishay.com

    (完)
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