【产通社，6月21日讯】美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）消息，其新款SST12LP17E和SST12LP18E器件可工作于2.7V的低电压，线性输出功率高达18.5dBm为2.5% EVM于IEEE 802.11g OFDM 54Mbps标准下，输出23.5dBm时附加功率效率高达38%于IEEE 802.11b标准下。这些功率放大器采用8引脚2 x 2 x 45mm QFN封装，是小尺寸、高效率和低电池电压工作的嵌入式WLAN应用的理想选择，如消费电子市场、手机、游戏机、打印机和平板电脑。

Microchip射频部副总裁Daniel Chow表示：“随着这些全新功率放大器的发布，Microchip现在可以更低的工作电压为客户提供在同等温度条件下同样可靠运行的性能。这些结合了高效率运行能力的低工作电压器件有助于延长消费电子行业各种应用的电池工作寿命。”

产品特点

SST12LP17E是同类产品中体积最小但能完全匹配的功率放大器，只需要一个DC旁路电容即可实现最优性能。SST12LP18E是Microchip广受欢迎的SST12LP14E功率放大器的一款替代产品，具备更低的成本和电压。它的工作电压是Microchip全线RF功率放大器中最低的，并可在-20℃至+85℃条件下工作。

许多工程师都面临着延长其应用电池寿命的压力，这些全新器件通过提供高附加功率效率降低电池电耗，并且通过低工作电压进一步延长了电池寿命，从而满足上述需求。SST12LP17E的RF输入和输出端已完成阻抗匹配，因此易于使用，使产品更快上市。此外，该器件无需外部RF匹配元件，只需要一个外部电容，占用的电路板空间更少。

供货与报价

新款RF功率放大器采用8引脚2 x 2 x 45mm QFN封装。现在即可通过http://www.microchip.com/get/337Q申请样片，并可以进行批量订购。