【产通社，6月11日讯】Techwire International消息，RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq GS股市代号：RFMD）用于65V操作的GaN1功率半导体处理技术已通过认证。这种高可靠性的功率半导体处理技术支持RFMD基于GaN的功率半导体产品设计，代工客户可通过RFMD代工服务业务部门获得该技术。在此之前，RFMD的GaN1功率半导体处理技术已获得认证，可用于48V操作。工作电压从48V提高到65V，这使0.5kW的微型功率设备可为L波段和S波段的军事和民用雷达应用提供高工作效率。

RFMD多市场产品组(MPG)总裁Bob Van Buskirk表示：“我们用于65V操作的GaN1功率半导体处理技术通过认证，这不仅使RFMD能够抓住不同MPG市场各种高压应用机遇，而且还能帮助我们的代工客户设计功率更高、更小的外围片芯。为了更好地服务于代工客户并开发专有的RFMD产品设计，RFMD将继续优化我们全新的GaN处理技术，重点提供更高的峰值效率、更低的功率消耗及更高的线性化。”

RFMD用于48V操作的GaN1处理技术无疑是高功率半导体行业的性能领先者，而RFMD用于65V操作的GaN1处理技术的性能甚至比其更高一筹。RFMD用于65V操作的GaN1处理技术的平均无故障时间(MTTF)为4300万小时，其通道温度为200 ℃，功率密度为10W，这是该行业一个重要的性能基准。高可靠性的功率半导体处理技术适用于高压操作，是下一代军事、雷达、公共/国防方面移动无线电应用的理想选择。

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