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ST推出新的地址-数据多路复用NOR闪存移动方案
2006/7/19 0:56:27     意法半导体
领先的手机及移动应用NOR闪存供应商——意法半导体(STMicroelectronics)日前宣布一个新的地址-数据多路复用输入/输出(AD MUX I/O)系列产品,这是一个专门为注重成本效益和价值的移动平台设计的全系列NOR闪存解决方案。
    AD MUX I/O架构提出了数据地址共用引脚的概念,从而减少了存储芯片的引脚数量,进一步节省了微处理器的系统成本。节省成本将给手机制造商带来巨大的竞争优势,特别是对于移动应用优势更加明显,因为成本是移动市场成功的关键。
    AD MUX I/O架构准许无需增加引脚数量即可提高总线宽度,或者减少引脚数量不会降低性能。尺寸更小的机械封装外廓,电路板占位面积缩小,这两种优势降低了手机制造商的成本。这些新产品的原型是ST现有的成功的NOR闪存产品。ST不断提供在技术开发、体系结构和系统性能上最佳的解决方案。最先进的典型特性,结合性能最高的应用,为终端用户带来了特别的实惠。新系列AD MUX I/O产品的推出确保所有手机市场上的NOR闪存产品的需求都能得到满足。
    AD MUX I/O产品组合包括独立解决方案和子系统解决方案,这两种方案基于1位和每单元2位技术,准许在提高存储器密度的同时优化芯片尺寸,采用130nm和90nm制造工艺。该系列产品提供脉冲串模式和多存储库架构,采用LFBGA88(8x10mm)、LFBGA107(8x11mm)或VFBGA44(7.5x5mm)封装。
    对于独立的NOR闪存,密度从16Mbit到64Mbit的采用每单元1位技术;密度从128Mbit到256Mbit的采用每单元2位技术。子系统解决方案初步包括下列组合:
128Mb NOR闪存+64Mbit PSRAM (M36L0R7060L1/U1)128Mb NOR闪存+32Mbit PSRAM (M36L0R7050L1/U1)
    ST不久还将推出更多的子系统解决方案(64Mbit闪存+32Mbit PSRAM, 64Mbit闪存+16Mbit PSRAM, 32Mbit闪存+16Mbit PSRAM),以充实这个产品系列的内容。新产品的样片现已推出,量产计划2006年第3季度开始。详情请访问:www.st.comwww.stmicroelectronics.com.cn。    (完)
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