【产通社，4月5日讯】RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq股市代号：RFMD）消息，Compound Semiconductor杂志已将该公司的PowerSmart功率平台(RFRD6460)评为2011年复合半导体行业最创新器件。该奖项是在2011德国法兰克福复合半导体行业奖颁奖期间由Compound Semiconductor杂志于2011年3月22日颁发的。

Compound Semiconductor杂志是服务于全球半导体行业的最权威、最广泛的读物。Compound Semiconductor编辑Richard Stevenson强调：“我们认为突出该行业中的技术成就非常重要，例如RFMD的PowerSmart。这些类别和产品代表了芯片制造工艺方面的关键创新领域。”

产品特点

RFMD革命性的PowerSmart功率平台采用RF Configurable Power Core，该技术可实现所有蜂窝通信调制方式的多频带、多模覆盖，最高达4G LTE 64QAM。PowerSmart功率平台还包括小型参考设计中所有必要的转换与信号调节功能，从而为领先设备制造商提供了面向整个蜂窝前端的单一可扩展资源。

RFMD PowerSmart功率平台的出色设计灵活性可使智能电话与平板电脑设计人员减少数个月的开发时间，并利用一种设计覆盖更广泛的市场细分，同时与同类竞争解决方案相比可极大缩减尺寸，降低电流损耗及研发成本。

供货与报价

RFMD最近开始批量生产和发运RFRD6460 PowerSmart功率平台，以支持Samsung Galaxy S 2系列3G/4G智能电话与平板电脑以及LG Optimus 3D。查询进一步信息，请访问http://www.rfmd.com。