【产通社，3月2日讯】Vishay Intertechnology（NYSE: VSH）网站消息，其新型100V n沟道TrenchFET功率MOSFET采用SO-8和PowerPAK SO-8封装，导通电阻率低至7.8mΩ。SiR870DP和Si4190DY采用ThunderFET技术，可提供最佳的导通电阻率和门电荷（gate charge）性能。

产品特点

SiR870DP的导通电阻在4.5V电压时为7.8mΩ，是目前业界最低的；在10V电压时的导通电阻也非常低，为6mΩ。SiR870DP的FOM为208mΩ-nC，适合节能型绿色应用方案。

Si4190DY在10V电压下的导通电阻为8.8mΩ，FO为340mΩ-nC；在4.5V电压下导通电阻为12mΩ，FOM性能为220mΩ-nC。

SiR870DP和Si4190DY均100%通过了Rg和UIS测试，并符合IEC 61249-2-21和RoHS Directive 2002/95/EC规范要求。

供货与报价

SiR870DP和Si4190DY目前已经量产并开始供样，大宗订单交货期为16星期。查询进一步信息，请访问http://www.vishay.com。