【产通社，2月22日讯】RF Micro Devices（Nasdaq股市代号：RFMD）消息，Samsung已选择RFMD的PowerSmart功率平台及WiFi元件来支持其广泛的新一代3G/4G设备系列。期望较高的Galaxy S 2和Galaxy Tab 10.1均将采用RFMD的PowerSmart，而Galaxy Tab 10.1还将采用RFMD的RF5521 WiFi前端模块(FEM)。Samsung在巴塞罗那举行的2011全球移动大会（MWC 2011）上展示了Galaxy S 2与Galaxy Tab 10.1。

RFMD总裁兼CEO Bob Bruggeworth 指出：“RFMD很高兴扩展了在Samsung 3G/4G智能电话和平板电脑中的参与，对于利用我们PowerSmart功率平台和市场领先的WiFi元件支持期望较高的Galaxy S 2及Galaxy Tab 10.1，我们感到尤其高兴。我们相信，在技术转变到多模、多频带智能电话中的整合前端方面，我们的PowerSmart功率平台处于该趋势的前沿，我们预计今年的PowerSmart发运量将实现强大增长。”

应用特点

PowerSmart功率平台采用创新的RF Configurable Power Core，该技术可实现所有蜂窝通信调制方案的多频带、多模覆盖，包括2G、3G、4G，直到LTE 64QAM。除RF Configurable Power Core外，RFMD的PowerSmart功率平台还包括小型参考设计中所有必要的转换与信号调节功能，从而为智能电话制造商提供了面向整个蜂窝前端的单一可扩展的资源。

RFMD的RF5521 WiFi FEM可满足智能电话及平板电脑制造商对于极大缩小802.11b/g/n前端解决方案尺寸的要求，同时可提供高线性输出功率以及极大减少核心连接芯片组外部的元件数。

供货与报价

RFMD PowerSmart功率平台及高性能WiFi元件的发运量预计将在全年中持续增加。查询进一步信息，请访问http://www.rfmd.com。