飞思卡尔半导体（Freescale）日前宣布采用新开发的高压射频功率技术，结合经济高效的创新超模压塑料封装，将其射频功率解决方案扩展至工业、科学和医疗（ISM）市场。作为要求苛刻的蜂窝基础设施市场的领导者，飞思卡尔推出了专为HF/VHF频率间隔（10-450MHz）和2.45GHz ISM频带设计的晶体管，从而将其在技术和封装方面的领导地位延伸到ISM市场。
    50V VHV6 RF LDMOS技术（第6代高电压射频横向扩散金属氧化物半导体）的开发促成了飞思卡尔的此次扩展。该技术在飞思卡尔广为接受的28V LDMOS技术基础上将工作电压提高到50V，让设计者能够实现更高的功率，超过当前ISM市场上的产品的性能水平。此外，该设备还采用了超模压塑料封装，从而提供了最经济高效的ISM解决方案。
    飞思卡尔副总裁兼射频部门总经理Gavin P. Woods表示：“飞思卡尔在蜂窝基础设施射频功率方面处于市场领导地位，同时还开发出50V LDMOS技术，这就使我们具备了得天独厚的优势，能够凭借真正的创新产品，将领导地位扩展到ISM市场。此外，我们还在超模压塑料封装技术领域处于领导地位，这使我们的客户能够开发最经济高效的ISM应用解决方案，比如等离子发生器和磁共振成像（MRI）系统。”
    飞思卡尔提供的ISM旗舰产品为MRF6V2300NB，它是功率为300W的50V LDMOS晶体管，其工作频率为450MHz，采用TO-272-WB-4超模压塑料封装制造。该设备能够产生27dB的可观增益，效率高达68%。凭借该产品的这种出色性能，ISM系统的设计者可以消除增益级（gain stages），从而降低总系统成本，减少占用板卡面积。除了出类拔萃的性能以外，该设备还具有极高的稳定性，其耐用容错性能达到10:1 VSWR。
    飞思卡尔正在扩展其产品到两个不同的ISM频率市场：HF/VHF市场和2.45GHz的ISM频带市场。为了达到10-450MHz的HF/VHF频率间隔要求，飞思卡尔提供了三种采用VHV6 50V LDMOS技术的晶体管。这些晶体管包括旗舰产品MRF6V2300NB、MRF6V2150NB（功率150W，效率69%，增益25dB）及MRF6V2010NB（功率10W，效率68%，增益25dB）。对于2.45GHz的ISM频带，飞思卡尔提供三种使用28V LDMOS技术的设备：MRF6P24190H（功率190W，效率46%，增益13dB）、MRF6S24190H（功率140W，效率46%，增益13dB）和MW6IC2420NB（二级20W，效率21%，增益21dB）。
    上述所有六种ISM设备现在已经提供样品。另外，所有三种2.45GHz的设备已经投产。MRF6V2150NB计划于2006年8月完全投产，而MRF6V2300NB和MRF6V2010NB则计划于2006年第四季度完全投产。欲了解飞思卡尔的最新射频功率设备的详细信息，请访问：www.freescale.com/rf。