【产通社，10月1日讯】恩智浦半导体（NXP Semiconductors；Nasdaq: NXPI）网站消息，其BLF888A 600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管面向广播发射机和工业应用，支持470-860MHz完整超高频带DVB-T信号，平均输出功率120W，效率可达31%以上。21dB高增益、出色的线性度和耐用性（驻波比VSWR＞40:1）使BLF888A成为DVB-T等高级数字发射机应用的理想选择。

恩智浦半导体公司射频功率产品营销总监Mark Murphy表示：“BLF888A是一款非常特别的产品，实现了耐用性、宽带功率与工作效率的优化整合。过去设计人员只能对这些参数进行优化平衡，始终无法提出最佳解决方案。现在有了BLF888A，全球广播发射机工程师可以放心优化自己的射频系统性能，无需再担心功率晶体管问题。”

产品特点

BLF888A具有0.15K/W的超低热阻。借助BLF888A晶体管，广播设备制造商可以对现有以及新装的发射机系统实施优化，提高产品性能，降低总拥有成本。此外，BLF888A与BLF881驱动器晶体管优化整合可以满足全系列功率放大器产品需求。

BLF888A提供两个封装版本：螺栓式封装(BLF888A)和无耳式封装(BLF888AS)，新封装使PCB设计更加紧凑。另外，BLF888AS还能在更低的结温条件下焊接。 

供货与报价
 

BLF888A和BLF888AS目前已有样品供应。查询进一步信息，请访问http://www.nxp.com/pip/BLF888A.html。