（2006年6月5日，美国加州）半导体解决方案的全球领导商Atmel Corporation宣布面向集成电路代工客户推出具有双层多晶硅高密度EEPROM的AT35700高压处理技术。该0.35微米技术拥有能在17伏和40伏时运行的LDMOS晶体管，并具有一个5伏低泄漏CMOS磁心。
    该低泄漏CMOS是为实现亚阈值漏电最小化而设计的，使其成为便携式电子设备的理想技术。独立NMOS和LDMOS晶体管被包括在内，以便实现了电路噪音的最小化。众多精选的片上模拟电阻器和电容器也包括在内以减少片外零件的需求。该技术支持焊垫(bond pad)下的ESD和I/O晶体管放置实现了冲模尺寸最小化。
    包括在内的还有Atmel可靠的双层多晶硅高密度存储单元。该单元可用于创建平行、串行或准闪存记忆设计。内置的EEPROM带来了监控和控制应用所需的大容量数据存储能力，且无需额外的存储芯片。
    该高电压的处理技术适用于混合信号、功率管理、发动机和运动控制，以及汽车监控和控制应用。随着设计解决方案根据Atmel行业标准和AVR微控制器系列的改进，这些应用可被显著拓展。
    多项目晶圆（Multi Project Wafer，简称MPW）—— Atmel提供常见的多项目晶圆布局。这为客户调试工具和定型设备提供了一个经济的方式，因为他们无需购买整套的掩模组。多个客户共用同一个标线片和晶圆布局，从而降低了进入的费用。MPW布局的价格取决于冲模大小。
    设计工具箱——Atmel提供资源丰富的成熟工具库，在Cadence Design Environment内支持准确的混合信号模拟。
    Atmel的35700 0.35微米高压CMOS工艺现已上市。Atmel的35700高电压CMOS代工工艺的信息可在http://www.atmel.com/products上查到。    （完）