【产通社，9月2日讯】瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics；TSE：6723）网站消息，其RJK0222DNS和RJK0223DNS功率半导体器件采用超小型封装，主要面向服务器与笔记本电脑的CPU，以及存储器等产品的DC/DC转换器，并将于2010年8月起在日本发售样品。

产品特点

RJK0222DNS和RJK0223DNS采用了第11代小型、低损耗功率MOSFET，并将组成DC/DC转换器的一对功率MOSFET整合于同一封装内。因此它们不仅可实现安装面积比瑞萨电子早期的功率MOSFET产品小一半的3.2×4.8×0.8mm（最大值）超小型封装尺寸，还可实现高达95.2%的业界最高效率，使功耗得到了大幅降低。新产品的主要特性如下：

(1) 安装面积小于原有产品一半，从而实现了更小巧的高密度电源设计

在尺寸为3.2×4.8mm的超小型HWSON3046封装内使用了一对功率MOSFET来实现电压转换。安装面积与瑞萨电子早期尺寸为5.1×6.1mm的WPAK封装相比，小了约一半。这样就能够设计出更小巧、安装密度更高的DC/DC转换器。
 
(2) 实现了业内最高的效率，大大降低了电源功耗

在300kHz的开关频率下，瑞萨电子第11代低损耗功率MOSFET实现了目前业内最高水平95.2%的高效率（输入电压：12V，输出电压：3.3V），这使电源的总效率得到进一步提高。此外，在用于实现电压转换的一对功率MOSFET中，还在用于实现同步整流（低端）的功率MOSFET上整合了片上肖特基势垒二极管。这使DC/DC转换器在死区时间内，功率MOSFET到肖特基势垒二极管的电流转换时间得以缩短，从而降低了功率损耗。更值得一提的是，新产品还可有效抑制功率MOSFET接通时的电压跳变，从而降低电磁噪声。

和早期的WPAK封装一样，HWSON3046封装具有出色的散热性能，而器件下所配备的压料垫，能够将功率MOSFET工作时所产生的热量传导至印刷电路板，这使功率MOSFET能够处理更大的电流。

供货与报价

新产品样品的单价均为50日元，并计划于2010年12月起批量生产。预计到2011年7月以后，月产量将达到合计200万个。查询进一步信息，请访问http://cn.renesas.com/press/news/news20100826b.html。