安森美半导体（ON Semiconductor）为了满足业界对更小型、更轻薄、更快速、更散热及更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求，6月5日推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的首六款μCool器件采用强化散热的超小型WDFN6封装。
    安森美半导体功率MOSFET产品市场营销总监高天宝(Thibault Kassir)说：“我们设计μCool产品系列的主要目的是解决便携式设备，例如锂离子电池充电电路、高、低电压端负载开关以及同步升降压电路中所面临的独特电源管理问题。这些新的μCool器件只是一个开端，我们将陆续提供一系列采用我们最新沟槽式技术的产品，工作电压范围由8V到30V，并提供各种不同配置，包括单一、双、FETKy、互补与集成型负载开关。”
    新推出的六款μCool产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm²面积上取得卓越的热阻(38^oC/W)与额定功率(1.9W)，额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190%，比SD-70-6扁平引脚封装提供高了130%。由功率的角度来看，采用WDFN6封装的μCool器件能更有效益的使用便携式应用中宝贵的电路板空间。
    其中，20V P通道单NTLJS3113PT1G与双NTLJD3115PT1G均经优化, 适用于锂离子电池充电应用，在4.5V时导通电阻RDS(on)分别为42mΩ与100mΩ，每10,000件的批量单价分别为0.30与0.31美元。
    20V P通道FETKy NTLJF3117PT1G(100mΩ)经优化，适用于将3V到4V电池电压转换为微处理器使用的1.1V电压应用，每10,000件的批量单价为0.31美元。
    30V N通道NTLJS4159NT1G(35mΩ)与FETKy NTLJF4156NT1G(70mΩ)经优化，适用于如白光LED背光的同步升压应用，每10,000件的批量单价分别为0.29与0.30美元。
    30V N通道双NTLJD4116NT1G(70mΩ)经优化，适用于低电压端开关，例如照相机快门与闪光，每10,000件的批量单价为0.30美元。
    虽然新推出的μCool功率MOSFET系列拥有与标准SC-88和SC-70-6封装相同的占位面积，但是安森美半导体的最新MOSFET产品提供了更多性能，它在底面露出一个可以做为漏极接点以及散热路径的连接面，强化后的散热路径能处理更高功率或在更低接点温度工作。这些选择在采用电池运作的设备上更为重要，因为更低的接点温度也就代表了更低的导通电阻RDS(on)或更少的功耗，也就是说可以延长电池的使用时间，而这正是手机、数字相机，便携式游戏机、便携式全球定位系统或任何采用电池运作的消费电子产品在考虑许多功耗问题时的一个极重要因素。
    安森美半导体便携式应用MOSFET产品市场营销经理Tom Zemites说: “μCool产品系列在便携式产品应用上不论是尺寸、热阻及额定功率上的表现都相当优异，尤其是与较大尺寸封装，如Micro-8、TSOP-6与ChipFET等比较时。我们为业界带来了能够让设计工程师在不牺牲效能的情况下大幅缩小电路板占用空间的更小型化功率封装。”
    这六款新μCool功率MOSFET器件现已提供样品并已进入批量生产，较大数量订单的供货日程为6到8周，更多信息请访问www.onsemi.com/tech或与Tom Zemites联系，电邮地址: tom.zemites@onsemi.com。    （完）