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安森美半导体和Nantero公司联合开发碳纳米管技术
2006/5/29 15:52:01     安森美半导体
安森美半导体(www.onsemi.com.cn)和Nantero公司5月29日宣布,他们将联手开发创新的半导体工艺技术,持续开展在CMOS晶圆制造中有效地集成碳纳米管。
    联合开发项目在安森美半导体美国俄勒冈州Gresham的制造厂区进行。该厂是最近从LSI Logic Corporation购买的,其制造能力可精确至130nm节点,是与Nantero技术开发项目的理想之选。当安森美半导体在本月早期接手此厂区后,大体上聘用了该厂所有的员工,包括大多数内部工程团队。
    Nantero联合创办人兼首席执行官Greg Schmergel说:“我们看到这联合项目的巨大潜力。Nantero和Gresham的工程团队成功地合作多年,我们期望与安森美半导体的携手合作,制造出世界首批采用碳纳米管的半导体器件。”
    Nantero采用的碳纳米管专利工艺与CMOS兼容,目前正在安森美半导体Gresham的半导体制造厂区进行开发。该厂是世界首个通过碳纳米管认证的晶圆厂。
    Nantero公司(www.nantero.com)是采用碳纳米管开发下一代半导体器件的纳米技术公司。Nantero正在开发NRAM高密度非易失性随机存取存储器件,这器件的潜在应用非常广泛,包括能够立即启动计算机,并代替如手机、MP3播放器、数码相机和PDA以及网络领域内应用中的内存。NRAM可为独立和嵌入式内存应用制造。Nantero也与其他持许可证的公司合作,在Nantero核心纳米管技术上开发更多的应用。    (完)
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