【产通社，6月10日讯】德州仪器(TI)消息，其NexFET功率模块可在25A电流下实现超过90%高效率的同步MOSFET半桥，其占位面积仅为同类竞争功率MOSFET器件的50%。CSD86350Q5D功率模块通过高级封装将2个非对称NexFET功率MOSFET进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点(POL)转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。
产品特点
NexFET功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达1.5MHz的开关频率生成高达40A的电流，可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间，改善整体电路性能。此外，NexFET功率模块还能够以低成本方式实现与GaN等其他半导体技术相当的性能。
CSD86350Q5D功率模块的主要特性与优势：
- 5 x 6毫米SON外形仅为两个采用5 x 6毫米QFN封装的分立式MOSFET器件的50%；
- 可在25A的工作电流下实现超过90%的电源效率，与同类竞争器件相比，效率高2%，功率损耗低20%；
- 与同类解决方案相比，无需增加功率损耗便可将频率提高2倍；
- 底部采用裸露接地焊盘的SON封装可简化布局。
供货与报价
NexFET功率模块器件采用5 x 6毫米SON封装，现已开始批量供货，样片与评估板也已同步开始提供。查询进一步信息，请访问http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn。
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