【产通社，5月5日讯】飞思卡尔半导体公司（Freescale Semiconductor）消息，其两款LDMOS射频功率晶体管专为TD-SCDMA设计，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多级集成功率放大器集成电路，每个器件均可在两个TD-SCDMA频带上交付10W的平均功率。

产品特点

MRF8P20160HSR3晶体管和MRF8P20100HSR3器件均采用飞思卡尔最新的高压第八代（HV8）LDMOS技术，它提供的性能水平位居业界最高行列。两个器件都提供对宽带的固有支持，所以能够在专为TD-SCDMA的运行而分配的两个频带（1880-1920MHz及2010-2025MHz）上提供它们的额定性能，这让一个单独的器件能够为两个频带提供服务。

TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty架构，该架构包含两个放大器，它们共同提供所有的运行条件。这通常要求在载波以及功率放大器的末级功峰值路径中配置单独的RF功率晶体管。然而，飞思卡尔的LDMOS晶体管均采用“双路径”设计，其中，Doherty末级放大器的实施所要求的两个放大器被集成在一个单独的封装内。这将把所需设备的数量减少一半。这些优势，加上高增益、高效率及低功耗，能够降低TD-SCDMA放大器的生产成本、减少所需的组件并降低放大器的复杂度。

MRF8P20160HSR3产品特性包括：
. 37W的平均射频输出功率（P3dB压缩下的连续波(CW)功率为160W）
. 45.8%的能量转换效率
. 16.5dB的增益
. 在输入信号峰均比为9.9dB的状态下测量，ACPR为-30.6dB（+/-5MHz偏移下的通道带宽为3.84MHz）。

MRF8P20100HSR3产品特性包括：
. 20W的平均射频输出功率（P3dB压缩下的连续波(CW)功率为126W）
. 44.3%的能量转换效率
. 16dB的增益
. 在输入信号峰均比为9.9dB的状态下测量，相邻信道功率比(ACPR)为-33.5dB（+/-5MHz偏移下的通道带宽3.84MHz）。

两款器件的工作电压均为26-32V，能在32V直流电源下处理的电压驻波比为10:1，它们在设计上是为了与数字预失真误差校正电路一起使用。它们在内部构造上互相匹配，采用气腔陶瓷封装，也可提供胶带和卷轴式封装。这些器件还包含保护措施，防止在装配线上遇到静电释放影响。静电释放保护也使门电压在-6V和+10V之间宽幅波动，从而提高了高效模式（如C级模式）下运行的性能。

供货与报价

MRF8P20160HSR3和MRF8P20100HSR3现已全面投产。可向设计人员提供参考设计和其他支持工具。查询进一步信息，请访问http://www.freescale.com.