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Numonyx Omneo相变存储器大幅提升写入性能和耐写次数
2010/5/3 10:27:07     

【产通社,5月3日讯】恒忆(Numonyx)公司网站消息,其已经正式推出了全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术,具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性,适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。

“自闪存于1988年问世至今,业内还从未见过一个如此崭新的高密度存储技术,”恒忆副总裁兼嵌入式系统业务部总经理Glen Hawk表示,“今天,对于代码存储和执行,以及数据存储应用,设计工程师必须使用不同类型的存储器。现在,随着恒忆的Omneo相变存储器问世,设计人员将获得一个简单的、单一存储器解决方案。”


产品特点


这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身,一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天,新产品发布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM,其写入速度有望达到现有闪存的300倍,耐写次数达到10倍。

今天推出的新产品包括支持串行外设接口(SPI)的存储器(Omneo P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存储器(Omneo P8P PCM)。两种接口产品都充利用新的PCM的技术优势,同时兼容工业标准的串行接口和并行接口。


供货与报价


目前该产品已经量产,并向市场供货。查询进一步信息,请访问http://www.numonyx.com.

    (完)
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