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飞思卡尔面推出带FlexMemory的90nm薄膜存储器闪存
2010/3/3 23:50:21     

【产通社,3月3日讯】飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)消息,其将针对下一代微控制器(MCU)平台提供90nm薄膜存储器(TFS)闪存技术。该先进技术预定将在针对下列应用的飞思卡尔MCU中部署,包括消费电子、家用电器、医疗器械及智能计量系统等。 

“我们的目标是为开发人员提供旨在减少成本及上市时间的整体即插即用解决方案,同时帮助他们显示其最终产品与众不同。”飞思卡尔高级副总裁兼微控制器解决方案集团总经理Reza Kazerounian表示,“我们日前宣布的技术改进将有助于解决上述问题,并证明我们有能力始终保持嵌入式MCU的领先地位。”


产品特点


飞思卡尔还同时推出TFS闪存的重要特性FlexMemory。FlexMemory提供简单、经济高效的片上增强型电可擦除编程只读存储器(EEPROM),提供业内领先的灵活性、性能及持久性等附加优势。用户可将FlexMemory作为附加闪存存储器进行单独部署,或者作为EEPROM和闪存存储器的组合进行部署。

随着TFS技术的推出,飞思卡尔能够实现以下优势:
. 通过革命性的纳米硅技术提供业内领先的比特级可靠性;
. 快速、低电压的晶体管提供低功耗读取功能,整个闪存操作时电压可低达1.71伏,达到功率敏感型应用日益提高的要求;
. 闪存接入时间不到0纳秒;
. 域效率出众,在各种闪存密度上实现高度的存储和外设集成。

为了完善最近的技术投资,飞思卡尔计划继续把重心放在技术支持解决方案上,包括CodeWarrior Development Studio、MQX实时操作系统(RTOS)、Tower System模块化开发平台。飞思卡尔软件和工具选项所具有的先进性,以及其基于最新90纳米闪存技术的下一代MCU,将为开发人员提供将产品快速、高效地推向市场所需的技术和支持。


供货与报价


飞思卡尔计划于2010年第三季度供应具有90nm TFS技术及FlexMemory特性的MCU产品样本,并且计划2011年初进行批量生产。查询进一步信息,请访问http://www.freescale.com.

    (完)
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