【产通社，1月14日讯】德州仪器(TI)消息，已经面向高电流DC/DC应用，推出了业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool NexFET功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高50%，并改进散热管理。

TI高级副总裁兼电源管理全球经理Steve Anderson指出：“我们的客户需要具有更小体积和更高电流的DC/DC电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET功率MOSFET能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足这一需求。”

该系列包含的5款NexFET器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的MOSFET可广泛用于各种终端应用，其中包括台式个人计算机、服务器、电信或网络设备、基站以及高电流工业系统等。

产品特点

2009年2月德州仪器(TI)收购总部位于美国宾夕法尼亚州伯利恒的CICLON半导体器件公司，获得其极富创新的高效率电源管理解决方案。新增加的NexFET功率MOSFET解决方案进一步壮大TI现有的电源管理产品系列，从而标志着TI能够为客户提供可支持高效电源设计的完整解决方案。

DualCool NexFET功率MOSFET是TI收购该公司以来推出的第一款全新的功率MOSFET产品，其主要特性与优势包括：
- 作为单相35A同步降压转换器的 MOSFET， 采用一个MOSFET即可满足高电流DC/DC应用中的高、低侧两种开关需求；
- 增强型封装技术可将封装顶部热阻从10-15摄氏度/每瓦降至1.2摄氏度/每瓦，从而将该封装所能承受的功耗提升80%；
- 高效的双面散热技术可将允许通过FET的电流提高50%，设计人员无需增加终端设备尺寸，即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器；
- 业界标准5 x 6毫米SON封装可简化设计、降低成本，与使用两个标准5x6封装相比，可节省30平方毫米的空间。

供货于报价

DualCool NexFET器件现已开始批量供货。此外，还提供样片与应用手册。订购NexFET评估板与样片，请访问http://www.ti.com.cn/mosfet-dcprcn。

了解NexFET技术优化的DC-DC控制器，请访问http://www.ti.com.cn/tps40303-prcn、http://www.ti.com.cn/tps40304-prcn，或者http://www.ti.com.cn/tps40305-prcn。