【产通社，12月31日讯】英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies）消息，其与飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的14项专利。
通过广泛的半导体技术专利交叉许可，双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议，飞兆半导体将向英飞凌支付许可费，但协议的具体条款和条件保密。
英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院，双方已经达成和解，并将申请撤诉。
目前，英飞凌目前正在和多家半导体公司进行专利许可谈判，这些谈判对持续保护其知识产权和商业利益至关重要。
查询进一步信息，请访问http://www.infineon.com。（杨春叶，博达公关）
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