【产通社，12月5日讯】RF Micro Devices（Nasdaq股市代号：RFMD）网站消息，RFMD已收到来自一家一级无线基站原始设备制造商(OEM)的首张订单，采购采用RFMD的氮化镓(GaN)工艺技术的产品。该订单采购RFMD的RFG1M09180 180W型氮化镓(GaN)宽带功率晶体管(BPT)，以支持4G无线网络的全球扩展。

RFMD的RFG1M09180 BPT支持750-800MHz的LTE、865-895MHz的3GPP/IS95以及930-960MHz的多载波GSM，可改善多标准基站的成本效益和能源效率。RFG1M09180是RFG1M功率器件系列的一部分，能够处理30W到360W之间的功率要求，与目前的LDMOS技术相比，它可提供更广的带宽和支持0.7GHz到3.8GHz的无线通信频段。RFG1M功率器件系列的特点还在于其内部匹配，并针对高效率技术（如Doherty和包络跟踪）进行优化。

与目前半导体技术相比，RFMD先进的GaN工艺技术可提供每平方毫米更高的RF功率和RF转换效率；RFMD相信其GaN技术将成为各个商业和国防应用市场的突破性技术。在无线基站应用中，RFMD的GaN HPA可提供业界领先的功率性能，同时大幅降低能源要求。该产品可提高网络设备的运行效率和降低与网络相关的能源成本，满足客户对“绿色”技术日益增加的要求。

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