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RFMD发布首款GaN器件:功率晶体管RF3931
2009/11/26 7:43:33     

【产通社,11月25日讯】RF Micro Devices(Nasdaq股市代号:RFMD)网站消息,推出专为高功率商业和国防应用而设计的48V、30W氮化镓(GaN)晶体管RF3931。


产品特点


RF3931可在单个放大器设计中和各个频率范围内实现高效率和平坦增益,通过先进的散热和功耗技术提供卓越的热稳定性。

RFMD的GaN功率晶体管系列有五个类别,30W RF3931属于其中之一,在未来两个季度将投入批量生产。这些超宽带宽功率晶体管具有10-120W不等的功率范围,可促进各种应用的高效率HPA的发展,包括手机通信和WiMAX基础设施、有线电视、军事通讯、公共移动无线通信、雷达和雷达干扰台。


供货与报价


RF3931是RFMD首个获得完整产品验证的GaN产品,RFMD推出的RF产品须通过该流程才能投入批量生产。RF3931已开始向多个高功率放大器(HPA)制造商发货,RFMD预测新GaN产品的推出将大幅增加GaN的发货量。

查询进一步信息,请访问http://www.rfmdnews.com/SimpChinese.html

    (完)
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