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美光公司推出新款NAND与低功率DRAM多芯片封装产品
2009/11/11 7:17:14     

【产通社,11月11日讯】美光科技股份有限公司(Micron Technology)网站消息,通过将业界一流的34纳米4Gb单层单元NAND闪存与50纳米2Gb LPDDR相结合,公司生产出了市场上最先进的NAND-LPDDR多芯片封装组合产品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封装产品以智能手机、个人媒体播放器和新兴的移动互联网设备为应用目标。较小的外形尺寸、低成本和节能是这类应用的核心特色。

美光公司目前向客户推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封装试用产品,预计于2010年初投入量产。4Gb NAND-2Gb LPDDR组合产品以当今移动设备的主流密度规格为目标,不过,随着移动市场集成更多复杂的多媒体功能,美光还可灵活地支持更高密度,最高可提供8Gb NAND和8Gb LPDDR。请访问美光创新博客,详细了解美光多芯片封装新产品,以及业内专业人士对不断变化的移动内存产业格局的独到观点。

美光移动内存营销总监Eric Spanneut说,“依靠封装中使用的34纳米4Gb NAND和50纳米2Gb LPDDR单片晶片,我们为客户带来了NAND型多芯片封装领域最先进的解决方案。多功能移动设备已成为行业的发展趋势,在此背景下,我们把业界领先的NAND和DRAM工艺结合起来,利用我们新一代的多芯片封装技术实现集成,从而可以轻松地满足市场向高密度NAND设备发展过程中的需求。”

除了多芯片封装产品组合之外,美光还为移动市场提供一系列内存产品,包括单独的NAND和LPDRAM部件、e∙MMC 4.4管理型NAND解决方案和NANDcode软件。美光与包括操作系统以及芯片提供商在内的整个移动价值链密切合作,从而取得独特的市场地位,可为客户提供种类丰富的工程支持和解决方案组合,以满足他们具体的设计需求。

查询进一步信息,请访问http://www.micron.com/about/news/pressrelease.aspx?id=5B30F6D4EFA2B68E

    (完)
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