【产通社，10月30日讯】美光科技公司（Micron Technology, Inc.，纽约证券交易所：MU）网站消息，已经利用获奖的34奈米NAND制程生产出了多层单元企业级NAND设备，透过这种设备，企业能够可靠地以高成本效益使其企业级闪存储存容量扩大一倍（因为在相同的芯片尺寸上，多层单元的容量是单层单元的两倍）。客户的需求由此得以满足。美光的新款多层单元企业级NAND设备的写入次数可达30,000次，其使用寿命比标准多层单元NAND延长了6倍。

对于更依赖储存性能的企业级应用，美光公司还推出了34奈米制程的单层单元企业级NAND设备，写入次数可达300,000次，其使用寿命相比标准单层单元NAND延长了3倍。

此外，美光最新款企业级NAND产品充分发挥NAND的性能潜力，支持ONFI 2.1同步接口；与传统的NAND接口相比，其数据传输速率提高了4到5倍。美光的34奈米企业级NAND产品组合包括：32Gb多层单元NAND芯片和16Gb单层单元NAND芯片，它们可配置为多芯片单封装形式，储存密度最高可分别达到32GB（多层单元）和16GB（单层单元）。

美光目前向客户及控制器生产商提供企业级NAND试用产品，预计于2010年初开始量产。查询进一步信息，请访问http://www.micron.com/about/news/pressrelease.aspx?id=9D16C788EFA2B68E。