【产通社，9月2日讯】非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商——Ramtron International公司网站消息，其最新推出的并口F-RAM存储器FM14C88适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡(HBA card)等应用。

Ramtron市场拓展经理李鸿钧称：“FM14C88的引脚和功能与CY14B256L和STK14C88-3等nvSRAM兼容，具有实时非易失性写入和快速上电运作等优势，不像nvSRAM需要大电容或BBSRAM需要电池来支持断电时的数据存储。对比BBSRAM和nvSRAM等方案, FM14C88更能节省成本和基板空间，简化生产，提高产品的可靠性。”

产品特点

与nvSRAM相比，FM14C88的读写速度更快, 工作电压更低。FM14C88的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC封装，具有高速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读写次数及低功耗等特点，是取代BBSRAM (电池供电的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存储器的理想方案。

FM14C88是配置为32K x 8的标准并口非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，读写操作与标准SRAM相似，能够在断电后保存数据，并提供超过635年(55℃) 的数据保存能力，消除BBSRAM(电池供电的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中电池，电容的不可靠性、高成本和设计复杂性等问题。F-RAM具有写入速度快，几乎无限的读写次数 (写入次数大约为1014次)等特点，使其成为RAID存储服务器及工业自动化等应用的理想选择。

FM14C88在系统内的工作方式与其它SRAM器件类似，可以用作标准SRAM的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址，就可进行读写操作。由于F-RAM存储器采用独特的铁电存储器工艺，具有非易失性的特点，所以非常适合需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。FM14C88 F-RAM器件的特性包括：
. 无延迟(NoDelay)写入；
. 页面模式工作频率高达33MHz；
. 无需大型存储电容器，不存在与电容相关的品质和成本问题；
. 即时进行非易失性写入操作；
. 上电恢复时间为250us，比nvSRAM快100倍；
. 引脚和功能与CY14B256L和STK14C88-3兼容；
. 60ns存取时间，90ns读写周期时间；
. 电源电压2.0–3.6V；
. 90uA待机电流 (典型值) ；
. 7mA工作电流 (典型值)；
. 32脚“绿色”/RoHS SOIC封装。

供货与报价

FM14C88可在整个工业环境温度范围(-40°C至+85°C)工作，并获得了全球著名RAID供应商选用。查询进一步信息，请访问http://www.ramtron.com.cn/press-center/press-releases。