【产通社，4月27日讯】台湾集成电路制造股份有限公司（TSMC；TWSE股票代码：2330；NYSE股票代码：TSM）官网消息，其在2026年北美技术论坛揭示其最先进制程技术的最新创新成果。继2025年发布业界领先的A14制程技术之后，台积电今年新推出的A13制程技术直接升级，实现更精简且更高效的设计，以满足客户对下一代人工智能、高效能运算、以及移动应用永无止境的运算需求。  

A13代表了台积电公司对持续创新的承诺，相较于A14，A13节省了6%的面积，设计规则也与A14完全向后兼容， 让客户能够迅速将其设计升级至台积电最新的纳米片晶体管技术。 此外，A13透过设计与技术协同优化，提供额外的功耗效率及效能提升。 A13预计于2029年，A14后一年进入生产。  

A13是台积公司在加州圣塔克拉拉市举行的北美技术论坛中所发表的技术创新重点之一，该论坛为台积电公司未来几个月在全球各地举行的技术论坛揭开序幕。 今年的技术论坛以「领先硅技术拓展人工智能（Expanding AI with Leadership Silicon）」为主题，是台积电公司本年度最大的客户活动，揭示公司最新的技术发展和制造服务。

台积电公司董事长暨总裁魏哲家博士表示：「台积电公司的客户总是着眼于未来的创新，他们期待我们能持续提供可靠的新技术，例如A13，且这些精心建置的技术在客户具前瞻性的新设计有需要时，能及时就绪并投入量产。 台积电公司的先进制程技术在密度、效能和功耗效率方面引领业界，但我们仍持续寻找方法进行优化，以更好地支持客户的未来产品，并作为客户最可靠的技术伙伴，确保客户得以成功。」 

其他在北美技术论坛上发表的新技术包括： 

先进逻辑技术

除了A13之外，台积电公司强化其A14平台并预告了A12。 A12采用台积电超级电轨（Super Power Rail）技术，为人工智能及高效能运算应用提供背面供电，预计于2029年进入生产。

台积公司持续推进其N2平台推出N2U，该技术采用了设计与技术协同优化，以实现速度较N2P提升3-4%或功耗降低8-10% ，逻辑密度提升2-3%。 N2U利用N2技术平台的制程成熟度与高良率表现，成为支持人工智能、高效能运算及行动应用的均衡之选。 N2U预计于2028年开始生产。

为支持人工智能对单一封装中更高运算能力及记忆体的需求，台积电公司持续扩展其CoWoS?技术以整合更多硅晶。 台积电公司目前正在生产5.5倍光罩尺寸的CoWoS，并规划更大尺寸的版本。 一个14倍光罩尺寸的CoWoS能够整合约10个大型运算晶粒和20个高带宽记忆体（HBM）堆叠， 且预计于2028年开始生产。 台积电随后将于2029年推出大于14倍光罩尺寸的CoWoS。 这些新技术为客户提供了更多人工智能运算提升的选择，并与台积电公司同样预计于2029年推出的40倍光罩尺寸SoW-X系统级晶圆技术进行互补。

台积电公司也将在其最先进的技术平台上推出系统整合芯片（TSMC-SoIC?）3D芯片堆叠技术，A14对A14的SoIC预计于2029年生产，其晶粒对晶粒I/O密度是N2对N2 SoIC技术的1.8倍，支持堆叠芯片之间更高的数据传输带宽。

台积电公司的紧凑型通用光子引擎（TSMC-COUPE）将达成关键性的里程碑，采用COUPE在基板上（COUPE on substrate）的真正共同封装光学 （CPO） 解决方案预计于2026年开始生产。 相较于电路板上的可插拔解决方案，此项新技术透过将COUPE光子引擎直接整合到封装内部的方式，可提供2倍的功耗效率并减少延迟90%。 该技术已应用于200Gbps微环调变器 （MRM），成为数据中心机架之间传输数据的一种高度精简且节能的解决方案。 
 
汽车及机器人

先进驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶汽车需要领先的技术及严格的质量和可靠性标准。 实体人工智能（Physical AI）应用，例如人形机器人，也采用了相似的严苛要求。 为满足其需求，台积电公司宣布推出N2A，这是首款采用纳米片晶体管的汽车制程技术。 相较于N3A，N2A在相同功耗下速度将提升15-20%，预计于2028年完成AEC-Q100验证。 此外，台积电公司在N2P制程设计套件（PDK）中提供「车用」设计套件，让客户在设计中考量汽车使用条件，得以在N2A制程技术取得完全验证前提早开始设计。

N3A于2026年进入生产，显示台积电公司为客户加速汽车产品周期的努力已见成效。 透过N3的「Auto Early」计画，客户于2023年即可开始设计，如今有超过10个客户产品是基于N3A制程技术所规划，让汽车变得更智能、更环保、更安全。

特殊技术

台积电公司是首家于2026年将高压技术引入FinFET世代的公司，其N16HV制程技术主要支持显示驱动应用。 针对智能手机显示驱动器，相较于台积电公司的N28HV制程技术，N16HV栅极密度增加41%，功耗降低35%。 针对近眼显示器，N16HV能将芯片面积（die area）缩小40%，功耗降低超过20%，增强智能眼镜等应用的可用性。查询进一步信息，请访问官方网站http://pr.tsmc.com/chinese/news/3171。（张怡，产通发布）    （完）