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冠捷半导体与联电量产28纳米SuperFlash Gen 4 Grade 1平台
2026/1/26 12:12:51
【产通社,1月26日讯】联华电子股份有限公司(United Microelectronics Corporation;NYSE股票代码:UMC;TWSE股票代码:2303)官网消息,SST创新的 ESF4 解决方案可于联电 28HPC+ 制程平台上实现 Automotive Grade 1 等级的效能与可靠性,同时大幅减少制程光罩步骤
面对车用控制器对高效能的不断追求,Microchip Technology 旗下子公司—冠捷半导体(Silicon Storage Technology, SST)与全球半导体晶圆代工业界的领导者联华电子(UMC,NYSE:UMC;TWSE:2303)今日共同宣布,SST的第四代嵌入式 SuperFlash?(ESF4)解决方案,已在联电 28HPC+ 制程平台上完成全数验证并正式进入量产阶段,具备完整的Automotive Grade 1(AG1)车规等级能力。 
SST与联电携手打造的ESF4,不仅可于车用控制器应用中提供强化的嵌入式非挥发性存储器(eNVM)效能与验证过的高可靠性,更相较于其他厂商的 28奈米 高介电系数金属闸极(HKMG) eFlash解决方案,大幅减少了额外制程光罩步骤,为客户带来更具成本效益与生产效率的方案。 
目前已于晶圆代工厂40纳米ESF3 AG1平台生产车用控制器产品的客户,若有升级至先进制程节点的需求,建议评估联电28纳米ESF4 AG1平台。 查询进一步信息,请访问官方网站
http://www.umc.com
,以及
http://www.microchip.com
、
http://www.sst.com
。(镨元素,产通数造)
(完)
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