【产通社，8月22日讯】上海华虹NEC电子有限公司网站消息，其非外延0.35um BCD工艺开始进入量产。

华虹NEC总裁兼CEO邱慈云博士表示，“PMU350工艺的成功量产，将为客户提供更多的工艺选择。为了持续不断地在该平台上推出下一代工艺来满足客户需求，华虹NEC已经在开发0.18µm BCD技术平台，以期为客户的电源管理和SOC芯片提供更高端的技术，填补大陆代工市场的空白，成为BCD领域的领航者！”

华虹NEC在2008年成功研发并量产了BCD350 (0.35µm Bipolar CMOS DMOS)工艺。针对市场的不同需求，华虹NEC现又推出了非外延工艺的0.35µm BCD工艺，即PMU350工艺。PMU350在BCD350的基础上用deep Nwell替代了外延层，并简化了工艺流程，使该工艺更具竞争力。目前，PMU350工艺已经顺利通过了产品验证，进入量产。

华虹NEC PMU350工艺主要面向电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域，该工艺的标准配置包括3.3V/5V的CMOS，12V/18V/30V/40V的LDMOS以及垂直的NPN和水平的PNP双极管。此工艺同时还提供高精度的电阻、高密度的电容及一次性可编程器等多种器件以方便客户选用，是LED驱动芯片、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电池保护和充电保护芯片的最佳工艺选择之一。

华虹NEC为国内外客户提供涵盖1.0-0.13µm工艺的、专业的、高附加值代工服务，专注于嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等特色工艺平台以及逻辑、混合信号等通用工艺平台，代工产品已广泛应用于智能卡(第二代身份证卡、SIM卡、社保卡等)、通讯、计算机、消费类电子以及汽车电子等领域。

查询进一步信息，请访问http://www.hhnec.com/CN/MediaCenter/PressReleaseView.aspx?ID=167。