【产通社，11月8日讯】北京理工大学（Beijing Institute of Technology, BIT）官网消息，智能光子学团队在量子点微显示应用研究中取得重要进展，近日提出了一种全彩色转换型Micro-QLED的技术路线，为破解微显示的难题提供了新思路，相关研究成果以“Photolithographic fabrication of high-resolution Micro-QLEDs towards color-conversion microdisplay” 为题发表于期刊《Light: Science & Applications》。

AR眼镜是构建元宇宙的基础硬件之一，微显示屏是AR眼镜的重要组件。目前，微显示的主要技术路线包括：硅基液晶（LCos）、硅基有机发光二极管（Micro-OLED）和微型GaN发光二极管（Micro-LED）和微型量子点发光二极管（Micro-QLED）。LCos技术是早期主流技术，成本低但对比度（<1000:1）、响应速度（>10ms）不足；Micro-OLED对比度高、功耗低，是当前高端VR设备的主流选择，但其亮度较低（< 10 000 nit），在AR应用中存在挑战。Micro-LED具有超高亮度、长寿命，正在快速发展，但实现全彩化的工艺复杂，开发难度大。Micro-QLED作为新兴的微显示技术路线，具有发光亮度范围大、容易实现高分辨和全彩化等特点，是最具潜力的AR显示技术路线。因此，发展工艺简单的高分辨全彩化制备技术，是Micro-QLED微显示技术发展的迫切需求。

智能光子学团队长期从事量子点研究，自2020年来，专注QLED器件分析和量子点微显示应用研究。本研究工作中，他们提出了全彩色转换型Micro-QLED技术路线，开发了光刻模板辅助法制备Micro-QLED的新工艺，实现了像素尺寸为2~20 μm的单色Micro-QLED器件。

使用上述工艺，首先，实现了高分辨蓝光Micro-QLED器件，电致发光整面均匀，像素尺寸范围为2~20 μm。其次，通过与红、绿量子点图案化色转换层集成，制备了全彩色转换型Micro-QLED微显示样机，最高分辨率为1184 ppi。

这一技术的分辨率与商业光刻机与光刻胶的分辨能力相关，使用更加成熟的光刻技术，全彩Micro-QLED微显示的分辨率能够进一步提升，满足微显示>10 000 ppi的需求。

此外，智能光子学团队在QLED蓝光量子点材料开发（Nature Synthesis 2023, 2, 296-304; Nano Research 2024, 17, 7020–702; Nano Research 2025, 18, 94907267）和QLED器件分析方面也取得了系列进展（Nano Letters 2023, 23, 5738-5745；ACS Photonics, 2024, 11 , 2131-2137；J. Phys. Chem. Lett. 2023, 14, 1777–1783）。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.bit.edu.cn，以及https://doi.org/10.1038/s41377-025-02000-y。（Robin Zhang，产通数造）    （完）